Добавить в корзину
Описание
| Серия | YJG |
| Конфигурация | Сдвоенный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 1,8 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJGD20G10A.pdf
821.09 КБ
Технические характеристики
| Корпус | DFN5060-8L |
| Рассеиваемая мощность | 17 Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 17 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 21 мОм |
| Заряд затвора | 16 нКл |
| Ток стока | 20 A |
| Исполнение | Промышленное |
