Добавить в корзину
Описание
Серия | YJG |
Конфигурация | Сдвоенный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 100 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 1,8 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJGD20G10A.pdf
821.09 КБ
Технические характеристики
Корпус | DFN5060-8L |
Рассеиваемая мощность | 17 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 17 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 21 мОм |
Заряд затвора | 16 нКл |
Ток стока | 20 A |
Исполнение | Промышленное |