Добавить в корзину
Описание
Серия | YJG |
Конфигурация | Одиночный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 30 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 1,6 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJG50N03BJ.pdf
719.51 КБ
Технические характеристики
Корпус | PDFN5060 |
Рассеиваемая мощность | 65 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 4,5 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 6,5 мОм |
Заряд затвора | 45 нКл |
Ток стока | 50 A |
Исполнение | Общее |