YJG200G04BR
SUNCOYJ
Добавить в корзину
Описание
| Серия | YJG |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 40 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 1,8 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJG200G04BR.pdf
789.77 КБ
Технические характеристики
| Корпус | PDFN5060 |
| Рассеиваемая мощность | 156 Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 1 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 1,5 мОм |
| Заряд затвора | 126 нКл |
| Ток стока | 200 A |