YJG110G10B
SUNCOYJ
Добавить в корзину
Описание
| Серия | YJG |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 3 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJG110G10B.pdf
717.75 КБ
Технические характеристики
| Корпус | PDFN5060 |
| Рассеиваемая мощность | 113 Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | - мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 5 мОм |
| Заряд затвора | 55 нКл |
| Ток стока | 110 A |