Добавить в корзину
Описание
Серия | YJG |
Конфигурация | Одиночный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 80 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 3 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJG110G08HR.pdf
720.35 КБ
Технические характеристики
Корпус | PDFN5060 |
Рассеиваемая мощность | 125 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 2,9 мОм |
Заряд затвора | 68 нКл |
Ток стока | 110 A |
Исполнение | Общее |