Добавить в корзину
Описание
Серия | YJG |
Конфигурация | Одиночный |
Тип транзистора | N |
Напряжение сток-исток | 80 В |
Напряжение срабатывания, типовое | 1,8 В |
Монтаж | Поверхностный |
Даташит
YJG100G08E.pdf
695.35 КБ
Технические характеристики
Корпус | PDFN5060 |
Рассеиваемая мощность | 152 Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20 В |
Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 3,6 мОм |
Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 4,8 мОм |
Заряд затвора | 90 нКл |
Ток стока | 100 A |