YJD65G10B
SUNCOYJ
Добавить в корзину
Описание
| Серия | YJD |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 2,8 В |
| Монтаж | Выводной |
Даташит
YJD65G10B.pdf
791.16 КБ
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 |
| Рассеиваемая мощность | 96 Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 8 мОм |
| Заряд затвора | 32 нКл |
| Ток стока | 65 A |
| Исполнение | Общее |