SPTD12R15
PIP Semiconductor
Добавить в корзину
Описание
| Серия | SGT |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 120 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 1,1 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 10,5 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 14 мОм |
| Заряд затвора | 21 нКл |
| Ток стока | 60 A |
| Исполнение | Промышленное |