SPTD10R13H
PIP Semiconductor
Добавить в корзину
Описание
| Серия | SGT |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 2 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 8,7 мОм |
| Заряд затвора | 21 нКл |
| Ток стока | 65 A |
| Исполнение | Общее |