SPTD10R10B
PIP Semiconductor
Добавить в корзину
Описание
| Серия | SGT |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 1,1 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 7,4 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 10 мОм |
| Заряд затвора | 33 нКл |
| Ток стока | 80 A |
| Исполнение | Общее |