SPTB12R08H
PIP Semiconductor
Добавить в корзину
Описание
| Серия | SGT |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 120 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 2,5 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Технические характеристики
| Корпус | TO-263 |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 5,9 мОм |
| Заряд затвора | 36 нКл |
| Ток стока | 110 A |
| Исполнение | Общее |