PTD02N03N
PIP Semiconductor
Добавить в корзину
Описание
| Серия | Trench |
| Конфигурация | Одиночный |
| Тип транзистора | N |
| Напряжение сток-исток | 30 В |
| Напряжение срабатывания, типовое | 1 В |
| Монтаж | Поверхностный |
Технические характеристики
| Корпус | TO-252 |
| Сопротивление в открытом состоянии при 10 В на затворе | 2,4 мОм |
| Сопротивление в открытом состоянии при 4,5 В на затворе | 3,9 мОм |
| Заряд затвора | 81 нКл |
| Ток стока | 130 A |
| Исполнение | Промышленное |