Полевые транзисторы FET, MOSFET

Всего товаров: 645

Товаров на странице:

Код заказа

Фото	В корзину	Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Монтаж	Vth Typ	Корпус	Id	Pd	Vgd	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Исполнение	Монтаж	Id

Код заказа
PTF40N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTF60N50 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTFD5N250* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTFN38N100* Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTH03N120I Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTH03N150 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTI030N03LA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTI04N03LA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTJ02N03N Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTJ02N04NB Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTJ03N04N Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTJ04N03LA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTJ060N06HA Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTJ9506E Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTL16N65 Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTP02N03N Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTP02N04N Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTP02N04NB Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTP03N04N Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor
PTP03N06NB Array ( [ID] => 688754 [NAME] => PIP Semiconductor [URL] => /manufacturers/pip-semiconductor/ ) PIP Semiconductor

Серия	Тип транзистора	Конфигурация	VDSS	Vth Typ	Корпус	Rdson@VGS10V	Rdson@VGS4,5V	Qg	Монтаж	Id
Planar	N	Одиночный	500 В	2 В	TO-247	85 мОм			Выводной	40 A
Planar	N	Одиночный	500 В	2,5 В	TO-247	80 мОм			Выводной	60 A
Planar	N	Одиночный	2500 В	2,5 В	TO-247	80000 мОм			Выводной	0,5 A
Planar	N	Одиночный	1000 В	3 В	SOT-227B	240 мОм		240 нКл	Выводной	38 A
Planar	N	Одиночный	1200 В	2,5 В	TO-3PF	6000 мОм		17,5 нКл	Выводной	3 A
Planar	N	Одиночный	1500 В	2,5 В	TO-3PF	5400 мОм		36 нКл	Выводной	3 A
Trench	N	Одиночный	30 В	1 В	PDFN3.3*3.3	3,5 мОм	4,8 мОм	48 нКл	Поверхностный	75 A
Trench	N	Одиночный	30 В	1 В	PDFN3.3*3.3	4,8 мОм	6,2 мОм	33,8 нКл	Поверхностный	65 A
Trench	N	Одиночный	30 В	1 В	DFN5X6	2,2 мОм	3,6 мОм	81 нКл	Поверхностный	120 A
Trench	N	Одиночный	40 В	2 В	DFN5X6	2 мОм		125 нКл	Поверхностный	170 A
Trench	N	Одиночный	40 В	2 В	DFN5X6	2,2 мОм		95 нКл	Поверхностный	140 A
Trench	N	Одиночный	30 В	1 В	DFN5X6	4,8 мОм	6,2 мОм	33,8 нКл	Поверхностный	65 A
Trench	N	Одиночный	60 В	2 В	DFN5X6	4,9 мОм		94 нКл	Поверхностный	115 A
Trench	N	Одиночный	68 В	2 В	DFN5X6	5,3 мОм		97 нКл	Поверхностный	115 A
Planar	N	Одиночный	650 В	2 В	TO-262	450 мОм			Выводной	16 A
Trench	N	Одиночный	30 В	1 В	TO-220	2,4 мОм	3,9 мОм	81 нКл	Выводной	150 A
Trench	N	Одиночный	40 В	2 В	TO-220	1,9 мОм		109 нКл	Выводной	270 A
Trench	N	Одиночный	40 В	2 В	TO-220	1,85 мОм		125 нКл	Выводной	270 A
Trench	N	Одиночный	40 В	2 В	TO-220	1,9 мОм		135 нКл	Выводной	250 A
Trench	N	Одиночный	60 В	2 В	TO-220	3,9 мОм		101 нКл	Выводной	150 A

Начало 7 8 9 10 11 Конец

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.

Полевые транзисторы

Вопрос-ответ

Задать вопрос

Полевые транзисторы

Отображение колонок

Вопрос-ответ

Задать вопрос