Полевые транзисторы
Всего товаров: 645
Товаров на странице:
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|
| Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
45 В
|
|
2 В
|
TOLL
|
|
|
|
0,55 мОм
|
|
252 нКл
|
|
Поверхностный
|
400 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
45 В
|
|
1 В
|
TOLL
|
|
|
|
1,1 мОм
|
1,55 мОм
|
103 нКл
|
|
Поверхностный
|
310 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
45 В
|
|
2 В
|
TOLL
|
|
|
|
1,25 мОм
|
|
75 нКл
|
|
Поверхностный
|
300 A
|
|
|
|
SJ
|
N
|
Одиночный
|
600 В
|
|
2 В
|
TOLL
|
|
|
|
94 мОм
|
|
51 нКл
|
|
Поверхностный
|
38 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,1 В
|
SOP8
|
|
|
|
14 мОм
|
18 мОм
|
18,3 нКл
|
|
Поверхностный
|
11 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
120 В
|
|
1,1 В
|
SOP8
|
|
|
|
11,5 мОм
|
14,5 мОм
|
21 нКл
|
|
Поверхностный
|
12 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,1 В
|
TO-251
|
|
|
|
12,5 мОм
|
18 мОм
|
18,3 нКл
|
|
Выводной
|
50 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,1 В
|
TO-251
|
|
|
|
15 мОм
|
21 мОм
|
19 нКл
|
|
Выводной
|
42 A
|
|
|
|
SGT
|
N
|
Одиночный
|
200 В
|
|
2,5 В
|
TO-3P
|
|
|
|
9,3 мОм
|
|
145 нКл
|
|
Выводной
|
110 A
|
|
|
|
YJA
|
N
|
Одиночный
|
20 В
|
|
0,75 В
|
DFN1006-3L
|
|
0,9 Вт
|
±12 В
|
|
180 мОм
|
1 нКл
|
|
Поверхностный
|
0,7 A
|
|
|
|
YJA
|
N
|
Одиночный
|
20 В
|
|
0,75 В
|
DFN1006-3L
|
|
0,9 Вт
|
±12 В
|
|
180 мОм
|
1 нКл
|
|
Поверхностный
|
0,7 A
|
|
|
|
YJA
|
P
|
Одиночный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
DFN1006-3L
|
|
0,9 Вт
|
±12 В
|
|
580 мОм
|
1,24 нКл
|
|
Поверхностный
|
-0,65 A
|
|
|
|
YJA
|
P
|
Одиночный
|
-20 В
|
|
-0,62 В
|
DFN1006-3L
|
|
0,9 Вт
|
±12 В
|
|
580 мОм
|
1,24 нКл
|
|
Поверхностный
|
-0,65 A
|
|
|
|
YJB
|
P
|
Одиночный
|
-60 В
|
|
-2,6 В
|
TO-263
|
|
178 Вт
|
±18 В
|
6,5 мОм
|
|
82 нКл
|
|
Выводной
|
-100 A
|
|
|
|
YJB
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
TO-263
|
|
260 Вт
|
±20 В
|
4,5 мОм
|
|
66 нКл
|
|
Выводной
|
110 A
|
|
|
|
YJB
|
N
|
Одиночный
|
85 В
|
|
3 В
|
TO-263
|
|
156 Вт
|
±20 В
|
4,5 мОм
|
|
63 нКл
|
|
Выводной
|
118 A
|
|
|
|
YJB
|
N
|
Одиночный
|
80 В
|
|
3 В
|
TO-263
|
|
208 Вт
|
±20 В
|
3,6 мОм
|
|
73 нКл
|
|
Выводной
|
120 A
|
|
|
|
YJB
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
1,8 В
|
TO-263
|
|
190 Вт
|
±20 В
|
3,5 мОм
|
4,5 мОм
|
70 нКл
|
|
Выводной
|
130 A
|
|
|
|
YJB
|
N
|
Одиночный
|
100 В
|
|
2,8 В
|
TO-263
|
|
178 Вт
|
±20 В
|
4 мОм
|
|
60 нКл
|
|
Выводной
|
130 A
|
|
|
|
YJB
|
N
|
Одиночный
|
60 В
|
|
1,6 В
|
TO-263
|
|
147 Вт
|
±20 В
|
2,7 мОм
|
3,5 мОм
|
71 нКл
|
|
Выводной
|
150 A
|
Настройки
Отображение колонок
Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.
Полевые транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов, таких как кремний или германий. Они могут быть разного типа, как p-канальные, так и n-канальные, в зависимости от их способности пропускать ток в обратном направлении.