IGBT транзисторы
Всего товаров: 27
Товаров на странице:
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|
Фото | В корзину |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
40 A
|
пайка
|
1,95 мДж
|
1,8 В
|
0,6 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
50 A
|
пайка
|
3,23 мДж
|
1,95 В
|
0,42 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
50 A
|
пайка
|
3,23 мДж
|
1,95 В
|
0,59 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
50 A
|
пайка
|
2,31 мДж
|
1,6 В
|
0,46 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
60 A
|
пайка
|
4,11 мДж
|
2,1 В
|
0,38 ℃/W
|
|
|
|
DGW
|
650 В
|
TO-247
|
75 A
|
пайка
|
5,1 мДж
|
1,65 В
|
0,38 ℃/W
|
|
|
|
G3C
|
|
TO-247AB
|
60 A
|
|
1,35 мДж
|
650 В
|
0,62 ℃/W
|
1,8 В
|
Настройки
Отображение колонок
Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ, англ. Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления)