Микросхемы памяти
Первыми появились устройства энергонезависимой памяти, рассчитанные на работу исключительно в режиме чтения, память ROM (Read Only Memory — память только для чтения). В последствии появились современные энергонезависимые микросхемы памяти, имеющие возможность работать в режимах записи, стирания и перезаписи. Современным и перспективным типом энергонезависимой репрограммируемой памяти является — Flash память. В отличие от других типов, информация в которых стирается по байтам или под воздействием ультрафиолетовых лучей, в Flash память информация стирается и записывается блоками. Более широкому внедрению флеш-памяти, в настоящее время, препятствует ограниченный ресурс работы, современная Flash память теряет свои свойства после 100 000 циклов стирания.Ещё одним перспективным современным типом постоянной памяти являются микросхемы созданные на основе специальных материалов — ферроэлектриков. Данный тип памяти (FRAM) является полностью энергонезависимым и демонстрирует впечатляющие показатели стойкости характеристик. Гарантии безупречной работы составляют, как правило, порядка 1014 циклов записи и стирания.
Наиболее перспективным типом энергонезависимой памяти в настоящее время можно считать MRAM. Это магниторезистивная память (MRAM —англ. magnetoresistiverandom-accessmemory) в которой хранение данных обеспечивается не за счет электрических зарядов, а за счет магнитных моментов. Преимуществом независимых магнитных микросхем является высокое быстродействие, сравнимое с SRAM, а также неограниченное количество циклов записи и стирания данных.
Использование магнитных моментов для хранения информации имеет два важных преимущества:
- Отсутствие утечек с течением времени при отсутствии внешнего питания.
- Переход магнитной поляризации между двумя состояниями не влечёт за собой изменение направления движения электронов и, соответственно, полностью отсутствует причина износа ячеек памяти.
Новости
Корпорация Winbond Electronics объявила о расширении своей линейки SPI NOR Flash, представив одинарную монолитную флеш-память SPI NOR 1,8 В 512 MB, которая может поддерживать стандартную/двойную частоту до 166 МГц/quad SPI clocks.
Компания Winbond Electronics объявила о получении уровня PSA Certified Level 2 Ready в схеме независимой гарантии безопасности для семейства микросхем защищенной флэш памяти TrustME W75F Secure Flash.
Компания Winbond Electronics объявила о расширении своего инновационного семейства микросхем памяти TrustME Secure Flash, представив серию для IoT, интеллектуальных потребительских и промышленных устройств – серия W77Q.
На выставке «Электроника 2018» в Мюнхене компания Winbond Electronics анонсировала дальнейшее развитие семейства микросхем памяти SPI NOR Flash W25Q-ND плотностью 64 Мбит и 128 Мбит напряжением 1,2 В и семейства SLC NAND /SPI NAND Flash на 2 Гбит.
Компания Winbond Electronics анонсировала выпуск микросхемы DDR3/3L SDRAM низкой плотности 512 Мбит c тремя вариантами рабочего температурного диапазона, в том числе автомобильным: -40…+105°C.